YESvGaN

ECSEL-JU
eu

YESvGaN creerà una nuova classe di dispositivi Wide Band Gap (WBG) con le prestazioni dei SiC per alti livelli di potenza al costo dei dispositivi Si.

La nuova tecnologia di GaN verticali si pone l’obiettivo di sostituire i dispositivi Si-IGBT e quindi ridurre le perdite di conversione in differenti applicazioni price-sensitive dall’industria al mercato automotive.

Il progetto YESvGaN copre lo sviluppo della nuova tecnologia richiesta dal wafer all’attrezzatura fino all’applicazione.

Il consorzio del progetto è formato da 23 partner europei localizzati in sette paesi: Austria, Belgio, Francia, Germania, Italia, Spagna e Svezia.

I partner comprendono soggetti del mondo accademico, PMI e importanti aziende industriali.

Il progetto ha ricevuto investimenti da ECSEL Joint Undertaking (JU) sotto il Grant Agreement Nr. 101007229. Il JU è supportato da fondi dell’Unione Europea H2020 e fondi nazionali.

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YESvGaN creerà una nuova classe di dispositivi Wide Band Gap (WBG) con le prestazioni dei SiC per alti livelli di potenza al costo dei dispositivi Si.

La nuova tecnologia di GaN verticali si pone l’obiettivo di sostituire i dispositivi Si-IGBT e quindi ridurre le perdite di conversione in differenti applicazioni price-sensitive dall’industria al mercato automotive.

Il progetto YESvGaN copre lo sviluppo della nuova tecnologia richiesta dal wafer all’attrezzatura fino all’applicazione.

Il consorzio del progetto è formato da 23 partner europei localizzati in sette paesi: Austria, Belgio, Francia, Germania, Italia, Spagna e Svezia.

I partner comprendono soggetti del mondo accademico, PMI e importanti aziende industriali.

Il progetto ha ricevuto investimenti da ECSEL Joint Undertaking (JU) sotto il Grant Agreement Nr. 101007229. Il JU è supportato da fondi dell’Unione Europea H2020 e fondi nazionali.